SK恩普士请求抛光垫及运用其制作半导体器材的办法专利最好可以下降在 CMP 抛光工艺中的能量丢失
时间: 2025-06-13 10:46:29 | 作者: 行业新闻
金融界 2025 年 5 月 10 日音讯,国家知识产权局信息数据显现,SK 恩普士有限公司请求一项名为“抛光垫及运用其制作半导体器材的办法”的专利,公开号 CN119927785A,请求日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显现,依据一施行方法,抛光垫可在特定频率范围内削减噪音和振荡。因而,抛光垫具有优异的吸音特性,因其依据方程式 1 在 500Hz 至 4,000Hz 的频率测得的最大吸音系数满意 0.1 以上。因而,因为其可以最好可以下降在 CMP 抛光工艺中因为热能或振荡能引起的能量丢失,其具有优异才能的抛光速率。
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